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车规级沟槽栅场截止IGBT，650 V，200 A，采用STPAK封装

车规级沟槽栅场截止，650 V、30 A低损耗M系列IGBT，采用TO-247长引线封装

车规级沟槽栅极场截止，1200 V、40 A，低损耗MS系列IGBT，采用TO-247长引线封装

车规级沟槽栅场截止，650 V、50 A低损耗M系列IGBT，采用TO-247长引线封装

汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ

汽车级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列IGBT晶片，D8封装

汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

Automotive-grade 412 V, 20 A internally clamped IGBT in a D2PAK package

汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 180 mJ

Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ

Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ

车规级沟槽栅场截止IGBT，650 V，200 A，采用STPAK封装

650 V、30 A车规级沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，采用HU3PAK封装

Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ

汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

汽车级10 A、600 V短路保护IGBT，带超高速二极管

车规级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT晶片，采用D11封装

汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ

车规级沟槽栅级场截止IGBT，650 V、120 A低损耗M系列，采用Max247长引线封装

汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ

650 V、200 A车规级沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，采用ACEPACK SMIT封装

带有续流碳化硅二极管的车规级沟槽栅级场截止650 V@50 A高速HB2系列IGBT，采用H2PAK-7封装

车规级沟槽栅极场截止650 V、80 A高速HB系列IGBT，采用TO-247长引线

具有续流二极管的车规级沟槽栅级场截止650 V@50 A高速HB2系列IGBT，采用H2PAK-7封装

汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 180 mJ

Automotive-grade trench gate field-stop, 1200 V, 40 A, low-loss MS series IGBT in a TO-247 long leads package

车规级沟槽栅极场截止650 V、80 A高速HB系列IGBT，采用TO-247长引线封装

车规级沟槽栅级场截止650 V@50 A高速HB2系列IGBT，采用H2PAK-7封装