面向高压和低压应用的先进电源技术,配合全系列封装选项和创新型晶片键合技术,证明了意法半导体在功率晶体管领域(属于STPOWER系列)的创新。ST 提供范围广泛的产品组合,其中包括范围从-100V到1700 V的功率MOSFET;击穿电压范围从300V到1700 V的IGBT和范围从15V到1700 V的功率双极晶体管。由于ST功率电子系统的改进热设计,我们的碳化硅 (SiC) MOSFET可确保良好的稳健性,这得益于行业领先的额定温度200°C和从650V到2200 V的电压范围。此外,我们的氮化镓硅基板 (GaN/Si) 晶体管的效率和功率密度都名列前茅,这要归功于出色的动态电阻和小电容,范围可达100V、650V和900 V。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用非常先进的封装(即分立式和模块式)和提供高可靠性和安全性的防护,帮助设计人员为定制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到最适合的解决方案。
意法半导体的10年长期供货计划确保持续稳定地向客户提供所选部件
![]() | 意法半导体公司已经将多种STPOWER高压MOSFET、IGBT和智能电源模块 (IPM) 纳入10年长期供货计划。STPOWER SiC MOSFET也在供货计划范围内,最低供货承诺时间为7年。该计划为客户的设计投资提供支持,确保选定的器件至少10年或7年(从通知日期起)内均可供货。 |
SiC MOSFET

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