碳化硅 - 高压开关和整流器件的新突破
意法半导体的碳化硅 (SiC) 器件产品组合包括STPOWER SiC MOSFET和STPOWER SiC二极管。前者电压范围为650至2200 V，具有业内领先的200 °C额定结温，可实现更为高效、简洁的设计；后者电压范围为600至1200 V，其开关损耗可忽略不计，前向电压 (VF) 比标准硅二极管低15%。查看意法半导体的SiC创新成果和技术页面。
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STPOWER SiC MOSFET
主要特性：
- 获得车规级 (AG) 认证的器件
- 超高温处理能力（最高Tj = 200°C）
- 极低的开关损耗（随温度变化很小），支持以非常高的开关频率工作
- 在温度范围内具有低导通电阻
- 易于驱动
- 稳定的超快速本体二极管
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电源管理设计中心
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• 返回电路元件值
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选择设计工具： 
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NFC/RFID计算器
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NFC/RFID计算器
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