产品概要
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。在低损耗至关重要的逆变器系统中实现了最大限度提升效率与性能的最佳平衡。此外，VCE(sat)正温度系数特性及紧密的参数分布，进一步提升了并联操作的安全性。
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性能一览
- 符合AEC-Q101标准
- VCE(sat) = 1.52 V（典型值）@ IC = 200 A
- 正VCE(sat) 温度系数
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 内置超快软恢复反向并联二极管
特别推荐
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STMicroelectronics - STGST200G65DFAG
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