产品概述
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。在低损耗至关重要的逆变器系统中实现了最大限度提升效率与性能的最佳平衡。此外，VCE(sat)正温度系数特性及紧密的参数分布，进一步提升了并联操作的安全性。
-
所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- VCE(sat) = 1.52 V（典型值）@ IC = 200 A
- 正VCE(sat) 温度系数
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 内置超快软恢复反向并联二极管
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGST200G65DFAG
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型