产品概述
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。该器件是MS系列IGBT的一部分，作为低损耗M系列的升级产品，专为逆变器系统而设计，在高总线电压值下具有出色的短路保护能力。此外，其略正的VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 在VCC = 800 V、VGE = 15 V、TJ (启动) = 175 °C时，短路耐压时间为 8 μs
- VCE(sat) = 1.95 V（典型值）@ IC = 40 A
- 参数分布紧密
- 正VCE(sat) 温度系数
- 低热阻
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - GWA40MS120F4AG
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GWA40MS120F4AG | 批量生产 | TO-247 long leads | 汽车应用 | Ecopack2 | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| GWA40MS120F4AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
GWA40MS120F4AG 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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