STPOWER IGBT产品系列中加入了全新1200 V MS系列，是电池热管理、高压安全开关、空调以及HEV和EV辅助负载的理想选择(900 VBUS)。
MS系列IGBT采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发。MS系列IGBT在低损耗M系列的基础上进行了改进，在高总线电压下短路能力出色，尤其适用于逆变器系统。此外，它的VCE(sat)微正温度系数特性和超紧密的参数分布，确保并联操作更为安全。
应用
1200 V MS系列专为开关频率在2至20 kHz之间的应用而设计，在起始结温为175°C时，具有8 µs的最短短路耐受时间和较宽的安全工作区域 (SOA)，确保了在恶劣环境下的高耐用性和可靠性能。
产品类型
采用沟槽栅场截止 (TGFS) 技术的1200 V MS系列IGBT，专为汽车应用而设计，具有VCE(sat)微正温度系数和非常紧凑的参数分布，可简化设计并方便并联。
了解我们的产品组合
意法半导体的1200 V MS系列IGBT采用TO-247长引线，额定电流为40 A。目前正在开发额定电流为15 A和25 A的器件。
优势
- 使用寿命更长
- 安全并联
- 快速软恢复反向并联二极管
- 高稳健性
特性
- 1200 V击穿电压
- VCE(sat) 1.95 V（典型值）@ 40 A
- 紧凑参数分布
- 安全并联
- Tj (max) = 175°C
- 组合封装续流二极管
- 短路耐受时间 >5 µs @ TJ-start=150 °C，VCC=800 V，VGE=15 V
- IGBT独立版本可用于纯电阻负载
