产品概述
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
-
所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 最短短路耐受时间为6 μs
- VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 30 A
- 参数分布紧凑
- 安全并联
- 低热阻
- 超快软恢复反向并联二极管
- 通过额外的驱动kelvin引脚实现出色的开关性能
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGHU30M65DF2AG
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGHU30M65DF2AG | 批量生产 | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package | HU3PAK | 汽车应用 | Ecopack1 | 10 | 2024-07-30T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGHU30M65DF2AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
| |||||||||||
STGHU30M65DF2AG 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
Don't show this again