产品概要
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。该器件是V系列IGBT中的一员，能够有效平衡导通损耗与开关损耗，从而显著提升了甚高频转换器的效率。此外，正VCE(sat)正温度系数特性和非常紧密的参数分布，进一步提升了并联操作的安全性。
IGBT与碳化硅二极管共同封装在一起：碳化硅二极管关断时未观察到恢复现象，最小电容性关断行为不受温度影响。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
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性能一览
- 符合AEC-Q101标准
- 最高结温：TJ = 175 °C
- VCE(sat) = 1.85 V（典型值）@ IC = 60 A
- 无拖尾开关电流
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 正VCE(sat) 温度系数
- 无反向恢复电荷的碳化硅二极管以续流配置方式共同封装
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGWA60V60DWFAG
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | General Description | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
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| STGWA60V60DWFAG | NRND 不推荐用于新设计。量产仅供支持现有生产。 | Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode | TO-247 long leads | Automotive | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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Sample & Buy
| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | General Description | ||
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| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGWA60V60DWFAG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STGWA60V60DWFAG NRND