创新与
技术
研发 9,000+ 名员工
创新 21,000 项专利。
合作伙伴关系 195 进行中的研发项目。
要想实现创新，
就必须凝聚集体的智慧。
智能电源技术带来更环保的解决方案
25年来，在电力技术与嵌入式智能的结合方面，我们一直面临着重重困难。 如今，我们的创新技术将帮助客户开发出更高效、紧凑且面向未来的电力和能源解决方案。
后量子时代的加密技术
量子计算机的出现，大大增加了公钥加密算法受到攻击的可能性。而后量子加密技术正是为了抵御量子计算的威胁而设计。意法半导体正在深度参与后量子算法的开发和标准化工作，以确保无缝过渡到后量子时代，并为未来的数字化发展提供安全保障。
高功率创新
功率晶体管是电力系统的关键部件。正因如此，我们不断创新，以令其更具效率，更加安全。通过传统的硅、宽带隙材料和先进的封装技术，我们将帮助客户满足其需求。
边缘人工智能
边缘AI是AI的范式转变，相较于云AI带来更多优势。在意法半导体，我们投资于大量研究、创新和开发活动，将边缘AI技术融入微控制器、微处理器和智能传感器，旨在打造客户需要的产品，让每个人都能受益于前沿技术。
Micro-Electro-Mechanical Systems
MEMS are becoming increasingly pervasive today, transforming the way the digital and analog worlds interact. We are innovating to deliver the next generations of MEMS sensors and actuators with proprietary leading-edge process technologies, packaging and manufacturing capabilities.
面向未来应用的数字和混合信号技术
创新一小步，发展一大步。数字和混合信号技术的进步能够在不影响性能的情况下为小型系统提供
支持。凭借射频、模拟和数字技术组合的不断创新，
无论何时，客户的电源和集成需求均能得到满足
FD-SOI
FD-SOI出色的低功耗性能和高可靠性为经济高效的RF/mmW和混合信号应用带来了独特的优势。
相变存储器 (PCM)
嵌入式PCM（ePCM）解决方案在密度和稳健性方面优于Flash和其他嵌入式存储器技术。
RF-SOI
意法半导体的创新RF-SOI技术解决方案能够设计全系列先进的RF前端模块 (FEM)。
BiCMOS
BiCMOS技术允许以紧凑和节能的设计开发高性能RF IC。
eSTM
40 nm节点嵌入式沟槽存储器 (eSTM) 技术由意法半导体开发并完成工业化，让通用微控制器和安全微控制器尺寸变得更小，同时还能节省成本和提高性能。
航天ASIC
意法半导体拥有齐备的航天技术平台和各种差异化辐照防护技术，均由我们的抗辐照专家开发。
技术由创新驱动
我们的技术研发根据市场长期趋势而指定。
这些技术能将先进的芯片制造技术转化为
尖端的商业产品，为我们的客户
实现或增强应用。
我们创建了一个“创新漏斗”，
以便开发市场领先的产品和解决方案，
从而推动公司的未来增长。如此一来，
我们就能根据战略愿景目标，
继续推动技术和应用领域的突破。
我们的创新办公室在提升我们的技术方面
发挥着至关重要的作用。其任务是创造更
多的外部和内部创新机会，并将新兴市场
趋势与我们的内部技术专长联系起来。
这使我们能够发现新机会，领先于竞争对手，
并在新技术或现有技术领域中占据领先地位。
