eSTM 嵌入式沟槽存储器
eSTM：向40 nm
嵌入式NVM更进一步
非易失性存储器 (NVM) 对于嵌入式设备来说必不可少，这样即时设备关闭也能存储数据。电荷存储NVM用于在存储器设备中保持电荷以存储数据，如今已用于大多数的工业、消费和汽车应用。 为了进一步改进通用微控制器和安全微控制器的尺寸、成本和性能，意法半导体首次在40 nm节点中引入了嵌入式沟槽存储器 (*) (eSTM) 单元。
* STMicroelectronics International NV或其附属公司在欧盟和/或其他地区的注册和/或未注册商标。
2015年，在研发项目启动后不到两年的时间里，eSTM技术已在40 nm节点中成功开发，并准备投入大规模生产。自2017年以来，已有15种意法半导体产品实施了这项技术，并且还有更多产品正在设计和验证中。 由于意法半导体加大了投入且有制造基地的支持，如今，基于这项技术的数十亿终端设备已经完成商业化。
* STMicroelectronics International NV或其附属公司在欧盟和/或其他地区的注册和/或未注册商标。
从技术到工业化
从银行卡到手机，从助听器到工业机器人，在全球数十亿设备中都能看到eSTM技术的身影。eSTM技术已实现于嵌入式和独立存储器中，显著提高了应用性能。
用于NVM的eSTM技术：设立EEPROM新标准
意法半导体的8到32 Mbit NVM被称为Page EEPROM系列，基于40 nm节点的eSTM单元。除减小了封装尺寸外，这项技术飞跃还带来以下优势：
- 存储器密度超过市场参考值 4 Mbit EEPROM
- 读取、擦除和编程操作更节能（与行业标准相比能耗减少最多5倍）
- 更快的擦除命令（比行业标准快10倍）
- 循环寿命长（比行业标准多5倍）
在医疗助听器等许多设备中，使用eSTM单元的NVM可以显著增强用户体验并延长设备电池寿命。
通用微控制器中的eSTM：提高STM32性能
许多STM32 MCU（如高性能的STM32H5）都在40 nm节点中实现了eSTM技术。
许多STM32 MCU（如高性能的STM32H5）都在40 nm节点中实现了eSTM技术。 eSTM单元是如今行业中40 nm节点最小的浮置栅嵌入式NVM单元，能显著降低成本。以STM32H562/63 MCU 为例，在STM32中使用eSTM技术可以缩短擦除时间、增强数据Flash存储器的循环能力（循环次数比前代产品最多高出10倍），进而提高了MCU和应用的性能。
安全微控制器中的eSTM：打造出色成本效益架构
内置eSTM单元的STSECURE微控制器可以应对从消费设备到汽车的一系列广泛应用，即使面临严格要求也不在话下。在安全微控制器中嵌入40 nm节点微型eSTM单元，大幅优化空间、节约成本。此外，eSTM还能提供Flash存储器密度，为EEPROM增添更多灵活性。
独特的单元架构
eSTM基于独特的单元架构。一个eSTM单元包含一个存储元件（结构为传统的多晶硅浮置栅 (FG) 和多晶硅控制栅 (CG) 堆栈）以及一个垂直选择晶体管（字线）。
两个相邻单元的选择晶体管（字线）合并成一个结构，并
垂直放置在芯片深处，直抵底层的N掺杂扩散，以此用作
源级线。
eSTM单元横截面。
