基于宽带隙半导体的解决方案是开发下一代高效电力系统的基础所在,能够为可持续的未来做出积极贡献。此类解决方案能加速推动电动车辆和可再生能源发电系统的运用。
基于氮化镓(GaN)的产品不仅改善了能源效率,还为广泛的消费、工业和汽车应用提供了更加紧凑的电源设计。
作为一种相对新颖的技术,GaN对GaN晶体管的设计者提出了若干挑战,其中包括复杂的栅极驱动设计和PCB布局限制。
基于我们在BCD智能电源和其他宽带隙技术(如碳化硅(SiC))方面的创新,意法半导体正在开发新一代智能电源集成,力求简化设计,并为客户带来更加出色的灵活性和性能。
STi2GaN产品系列可供设计者以更高的集成度和性能,充分利用GaN技术。将GaN技术的优势与传统半导体材料相结合,各种功率应用将带来尺寸、性能和成本方面的优势。
STi²GaN表示意法半导体 (ST) 智能 (Intelligent) 与集 (Integrated) 成式GaN,该技术利用了氮化镓 (GaN) 技术的优势,如更高的效率和运行频率,从而在最终应用中降低了冷却要求并缩小了散热器尺寸。
系统层面的集成以非常紧凑的设计增强了稳健性和可靠性。
STi²GaN可轻松集成至未来的应用中,有助于大幅提高工作频率(在MHz范围内),从而在系统层面实现更紧凑、更简单和更具成本效益的设计。
此外,创新封装还减少了寄生元件。此举有助于降低电磁辐射(EMI),并通过双面冷却改善热特性,进一步简化散热策略的选择。
意法半导体是您理想的合作伙伴,能够充分利用Integrated Power GaN解决方案
在100 V和650 V集群中的优势。
基于我们在智能电源解决方案和汽车应用方面的丰富经验,意法半导体确保工程师能够满足严格的设计要求,并从可用性、性能和可靠性方面的高标准中受益,同时还提供经验证的专有技术,帮助您的工程团队对解决方案进行鉴定。