航天ASIC
抗辐照和辐照防护技术
抗辐照和辐照
防护技术
意法半导体在为航天工业提供抗辐照专用IC (ASIC) 方面拥有成熟的专业知识。提供包括库、IP、工具以及方法在内的完整航天技术平台，内容均由我们的抗辐照专家开发。且还向定向ASIC和代工客户提供如CMOS混合信号、SiGe、功率和集成式无源器件等差异化辐照防护技术。
我们的ESCC和QML认证工厂位于法国雷恩，是我们的太空和高可靠性供应链中心。我们有广泛的合作伙伴网络，能确保客户在解决方案开发、原型设计和生产阶段获得全面的支持。本项服务主要针对主要承包商、有效负载和子系统供应商，以及为无晶圆芯片制造商提供服务的代工厂 (Foundry+)，帮助他们开发ASSP和标准产品，满足其ASIC需求。
抗辐照技术
抗辐照技术包括专用的抗辐照库和硬IP，也可能涉及特定的工具和防护方法。
辐照防护技术
辐照防护技术具有固有特性，允许通过理论分析、特定辐照测试和飞行记录，“设计”开发抗辐照产品。
经过检验的质量和寿命，在专有晶圆厂中进行大批量生产。
我们的产品组合
| 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 28 nm FD-SOI | 数字、模拟、RF | 提供抗辐照平台和抗辐照IP | 飞行LEO、GEO | ||||
| 65 nm | 数字、模拟 | 提供抗辐照平台和抗辐照IP | QML-V 飞行GEO | ||||
| BICMOS55X | RF、数字 | fT=365 GHz – fMAX=440 GHz | 研发 | ||||
| BICMOS9MW | RF、数字 | fT=220 GHz – fMAX=280 GHz | 飞行LEO | ||||
| HCMOS9A | 数字、模拟 | 飞行GEO | |||||
| BCD6s SOI | 电源IC | 最高190 V | 飞行GEO | ||||
| 集成式无源器件 | RF滤波器 | 飞行GEO | |||||
| CMOS | 图像传感器和读出集成电路 (ROIC) | 大像素、IR、前端照明 (FSI)、后端照明 (BSI)、拼接 | 飞行GEO | ||||
| 28 nm FD-SOI | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | 数字、模拟、RF | 提供抗辐照平台和抗辐照IP | 飞行LEO、GEO |
| 65 nm | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | 数字、模拟 | 提供抗辐照平台和抗辐照IP | QML-V 飞行GEO |
| BICMOS55X | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | RF、数字 | fT=365 GHz – fMAX=440 GHz | 研发 |
| BICMOS9MW | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | RF、数字 | fT=220 GHz – fMAX=280 GHz | 飞行LEO |
| HCMOS9A | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | 数字、模拟 | 飞行GEO | |
| BCD6s SOI | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | 电源IC | 最高190 V | 飞行GEO |
| 集成式无源器件 | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | RF滤波器 | 飞行GEO | |
| CMOS | 技术 | 范围 | 主要特性 | 状态 | 图像传感器和读出集成电路 (ROIC) | 大像素、IR、前端照明 (FSI)、后端照明 (BSI)、拼接 | 飞行GEO |
意法半导体的防护专业知识
在超过45年的时间里，我们在开发各种产品方面积累了独有的专业知识，通过设计和工艺实现防护，或在太空、通信和汽车等应用领域使用专用库和防护宏单元。
专有工具和方法
我们对各种技术和产品进行了数以千计的辐照测试，才研发出一系列专有工具和方法。这些工具完全部署于意法半导体的65 nm和28 nm FD-SOI抗辐照库中，并允许基于特定任务配置优化性能、功耗和模具尺寸。
专有工具和方法*
- 辐照传感器
- TID感知老化模型
- 多尺度故障注入模拟器
- SEU蒙特卡洛代码
- 超选择防护（CPU、SOC）
抗辐照IP和库*
- SERDES, ADC, DAC, PLL
- Arm®：A53、R52抗辐照宏单元
在65 nm和28 nm FD-SOI中用于太空部署
太空封装和资质
意法半导体通过其ASIC生产和Foundry+服务提供完整的供应链。
欧洲制造
所有“传统太空”产品的装配都在意法半导体的法国雷恩ESCC和QML认证工厂中进行。 满足“新太空”要求的标准塑料封装，则在亚洲和欧洲工厂完成装配。
用于太空IC的先进封装技术
我们位于雷恩的工厂配备了倒装式封装和引线键合装配能力。近期升级的倒装式封装产线与陶瓷和有机基板兼容，适用于传统或新型太空应用。增强产线引入了顶部冷却封装选项，以实现更好的热量管理，并且可以支持中低数量。我们还升级了之前的引线键合产线，用于密封陶瓷封装，以提升容量并允许更高密度的ASIC，最高可达CQFP352和CLGA625。
质量保证
意法半导体在精研太空产品和技术的几十年中，积攒了深厚的太空质量保证专业知识，从我们独有的三重ESCC、QML和JAN认证即可见得。 深厚的专业知识使我们能够将认证能力领域扩展到最先进的太空ASIC和ASSP，达到该领域的技术和封装要求。
太空ASIC和Foundry+客户可以从我们的ESCC和QML能力领域中受益，轻松获得正规机构认证，或根据特定任务配置获得定制的资质认证。
太空ASIC和Foundry+客户可以从我们的ESCC
和QML能力领域中受益，
轻松获得正规机构认证，
或根据特定任务配置获得定制的资质认证。
增值服务、工作模式和生态系统
28 nm FD-SOI、65 nm CMOS、130 & 55 nm BiCMOS (SiGe) 等技术非常适合全新的应用开发。一些设计公司已经使用它们开发出适用于太空应用的抗辐照元器件。意法半导体正致力于将此类支持扩展到其他辐照防护技术，满足太空ASIC和Foundry+的需求。
这些技术中的大部分都适用于意法半导体的低成本原型设计和多项目晶圆 (MPW) 服务，尽管可能存在一些限制。 从纯粹的代工模型到纯粹的ASIC，意法半导体提供不同等级的贡献度和增值服务。
