BCD
Bipolar-CMOS-DMOS
BCD：功率集成电路的关键技术。
BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 由意法半导体发明，在其诞生之初的八十年代中期具有革命性意义，并在此后不断发展。BCD是指硅工艺的一个完整系列，在单个芯片上结合了三种不同技术的优势。
模拟 Bipolar
适用于模拟功能。
数字 CMOS
适用于数字处理。
功率 DMOS
适用于功率和高压元件。
公认的创新
2021年5月，BCD因意法半导体历史性的“单片多硅技术”成就而荣获著名的IEEE里程碑奖。 电气工程与计算IEEE里程碑奖旨在表彰所有与IEEE相关领域的重大技术成就。
里程碑奖是对独特产品、服务、开创性论文和专利中造福人类的技术创新和卓越贡献的认可。
单片多硅技术，1985
意大利Agrate Brianza，颁发于2021年5月18日-IEEE意大利分部SGS（现为“意法半导体”）开创了将双极、CMOS和DMOS（BCD）晶体管结合在单个芯片中的超级集成硅栅工艺，用于复杂、功率要求高的应用。首个BCD超级集成电路“L6202”能够在300 kHz下控制高达60V-5A的电压。随后的汽车、计算机和工业应用广泛采用了该工艺技术，使芯片设计者能够灵活、可靠地结合电力、模拟和数字信号处理。
独特的BCD平台系列
凭借二十多年来在工艺开发和芯片生产方面的专业知识，意法半导体提供了一系列独特的BCD工艺技术，每种技术都针对特定的应用需求，并在功能、性能和成本之间实现了理想平衡。
先进BCD
绝缘体上硅BCD
高压BCD
覆盖广泛的电压范围
5 V 至 40 V
40 V 至 200 V
200 V 至 1200 V
1200 V 至 6000 V
推动BCD创新
凭借在该领域积累的二十多年的独特技术经验，意法半导体可提供无与伦比的技术支持，确保客户拥有优越的BCD体验。
了解我们的创新路线图。
当前可用
产品分为两种BCD工艺：
- 高密度
- 高电压
0.32 µm
BCD6 / 6s
20 V - 100 V
BCD6s-OFFLINE
650 V - 800 V
BCD6s-SOI
100 V - 190 V
电流隔离（电感）
4 kV - 6 kV
0.16 µm
BCD8s-AUTO
40 V - 100 V
BCD8s-P
5 V - 60 V
BCD8s-SOI
100 V - 200 V
0.11 µm
BCD9s
5 V - 100 V
原型设计中
当前正按照一流的设计流程进行测试和审批
- 高密度
- 高电压
0.32 µm
BCD1200
1200V
电流隔离（电容）
6kV
0.11 µm
BCD110
5 V - 50 V
90 nm
BCD90
5 V - 50 V
开发中
下一代BCD技术。
- 高密度
- 高电压
0.32 µm
电流隔离（电容）
10kV
40 nm
BCD40
5 V - 50 V