GaN
氮化镓
帮助您构建更好的电源解决方案
非常适合低开关损耗的高频操作。
GaN
适用于多种功率应用
意法半导体GaN产品面向各类应用，如电源和适配器（PC、便携式电子设备、壁式USB充电器、无线充电器等）、功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC转换器。在汽车领域，GaN器件特别适合于 高效电动车辆板上充电器 和低压下的 轻度混合DC-DC转换器 。
意法半导体的GaN技术也非常适用于 STi²GaN等集成解决方案。 新的封装概念（如嵌入式2SPAK和PowerFLAT封装）也是GaN开发的重要组成部分，因其有助于通过具有超低内部寄生电感的封装来管理非常高的开关频率。
GaN功率器件的优势
GaN功率器件的
优势
由于其优异的性能，GaN HEMT可帮助设计者实现更高的转换效率、更小的外形尺寸和更高的功率密度。
低导通电阻 (RDS(ON)) 源自二维电子气（2DEG）的高电子迁移率
高击穿电压 与大带隙 (3.4eV) 和高临界电场有关
低电容和低栅极电荷
更高的操作频率
CMOS兼容横向器件
双向开关二极管 在某些电路拓扑（如OBC）中具有优势
氮化镓 (GaN) 究竟是什么？
氮化镓（GaN）属于 宽带隙 (WBG) 材料。它是一种二元化合物，其分子由一个镓原子（III族，Z=31）和一个氮原子（V族，Z=7）组成，具有纤锌矿六方结构。
