CATEGORIES

宽带隙晶体管

为了迈向更节能的世界,下一个关键步骤是使用宽带隙半导体 (WBG) 等新材料,新材料可以提高电源效率、减小产品尺寸和重量、降低系统成本,或同时实现所有这些优点。意法半导体提供品类丰富的碳化硅 (MOSFET) 产品和技术组合,以及氮化镓基(增强型HEMT)器件,涵盖裸片、分立器件和模块,并且都属于STPOWER系列。

  • 碳化硅 (SiC) 具有3电子伏特 (eV) 的能带间隙和比硅 (Si) 高得多的热导率。碳化硅MOSFET兼具高功率密度以及比硅更高的开关性能,非常适合高电压和高功率应用。意法半导体的SiC MOSFET产品组合品类丰富,包括从导通电阻RDS(on)在整个温度范围内都非常稳定的G1器件,到具有高速开关特性的最新G3 SiC MOSFET等各类器件,可确保开发人员从中找到完全符合设计要求的器件。这意味着更严格的设计余量,可以提高设计性能。意法半导体的碳化硅MOSFET包括电压为650V至2200V的一系列产品,非常适合工业和汽车应用,比如牵引逆变器、车载充电器、快速充电站、DC-DC转换器、高端PFC、SMPS和辅助电源,以及UPS、太阳能逆变器、焊接设备和工业驱动等。STPOWER SiC MOSFET以各种分立式封装和裸片形式提供。
  • WBG系列的另一成员硅基氮化镓 (GaN/Si) 具有更高的3.4 eV能带间隙和比碳化硅本身高很多的电子迁移率。其击穿电场是硅的十倍,电子迁移率是硅的两倍。输出电荷和栅极电荷都为硅的十分之一,反向恢复电荷几乎为零,这对于高频操作(特别是在桥接拓扑结构中)非常重要。GaN广泛应用于各种各样的应用,尤其适用于现代谐振拓扑,帮助设计人员开发出能够大幅提高电源效率的系统。凭借其优异的性能,GaN HeMT(高电子迁移率晶体管)将广泛应用于电动汽车,以及电压为100 V650 V900 V的工业、电信和特定消费应用。

STPOWER SiCGaN功率晶体管代表了从硅基产品向更高效率产品的自然进化,减少了器件尺寸,因此契合“打造更环保、更令人愉快的环境”这一崇高目标。

New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET

ST has extended its portfolio of SiC MOSFETs with the introduction of the 22 mΩ typ (at 150 °C), 650 V SCTW100N65G2AG which increases the electrical efficiency of EVs and hybrid vehicles. When used in the EV/HEV main inverter, it increases the efficiency by up to 3% compared with an equivalent IGBT solution, translating into longer battery life and a lighter power unit. ST’s SiC MOSFETs also feature the industry’s highest junction-temperature rating of 200°C and show a very small variation of the on-state resistance even at high temperatures. This leads to higher system efficiency, which reduces cooling requirements and PCB form factors simplifying thermal management.
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will soon complete the qualification to AEC-Q101.