BiCMOS
高性能光学和RF IC技术
近年来，数字化程度的不断提高和人工智能 (AI) 的普及导致市场对新数据中心的需求激增，预计未来这一趋势还将持续加速。其中，光学解决方案在连接服务器、交换机和存储单元等数据中心资源方面发挥着关键作用。它们还为实现AI集群内的短距离GPU到GPU连接提供了便利。总之，不断提升的数据传输速率有效推动了市场对更高性能光学IC的需求。
正在部署当中的近地轨道 (LEO) 卫星星群可提供覆盖全球的高速宽带连接，而5G网络的迅猛发展则导致了高性能射频设备需求的激增。此外，车载雷达、LAN射频收发器 (60 GHz)、点对点无线电设备（V波段/E波段）以及安防或仪器仪表解决方案等新兴微波应用也对射频性能、工作条件、芯片集成度、功耗和成本优化提出了更加严苛的要求。
因此，意法半导体投入大量资金开发BiCMOS技术，以找到能够满足上述要求的最佳解决方案。如今，意法半导体的BiCMOS技术已经应用于最先进的光学模块、LEO卫星终端、世界各地的无线基站以及车载雷达和仪器仪表解决方案。
利用BiCMOS技术塑造6G未来
在意法半导体的协调之下，X-TREME 6G计划汇聚了17家企业、高校和研究中心，对其专业知识储备进行了整合，共同定义欧洲6G的未来发展方向。其中，意法半导体的BiCMOS技术既是整个计划的基础，又是打造新一代高容量无线接入技术的关键因素。
BiCMOS：兼具两方面核心优势
硅锗 (SiGe) BiCMOS可将两种不同工艺技术的优势融合到一个芯片当中。双极晶体管兼具高速度和高增益优势，这对于高频模拟部分至关重要；而CMOS技术则是构建中等复杂度、低功耗逻辑栅极的理想选择。
意法半导体SiGe BiCMOS技术可将射频、模拟和数字部件集成到一个芯片上，从而在大幅减少外部元件数量的同时，有效优化了功耗。
典型的蜂窝基站或点对点射频接收器
典型的光纤和有源光缆模块
如今，意法半导体推出的BiCMOS工艺技术不仅具备此前必须使用砷化镓 (GaAS) 等成本更高的技术才能达到的性能水平，而且在集成度方面具有明显的优势。
与体效应CMOS相比，BiCMOS异质结双极晶体管 (HBT) 可在指定的技术节点上实现更高的截止频率。要达到相似的频率，体效应CMOS设计方案必须采用更小的工艺节点；这不仅会影响到设计的自由度，而且在大多数情况下会导致整体性能降低和成本增加。
与其他方案相比，意法半导体的BiCMOS技术可以更好地控制成本，因此更有利于满足各类应用用例的需求。
意法半导体是BiCMOS工艺技术的领导者
意法半导体在设计、架构和工艺集成方面拥有深厚的专业知识底蕴，可凭借业内领先的SiGe BiCMOS技术为高性能RF IC的设计工作提供有力的支持。
目前B55和B55X技术已在欧洲300 mm晶圆生产工厂正式投产，可确保实现大批量供应。
为优化设计与制造提供全方位的支持
意法半导体的BiCMOS设计平台可凭借各种领先的CAD工具（包括一组十分精确的仿真模型）实现完整、高效的设计流程。该平台的有效性已由众多客户通过成功的IC设计予以证实。
意法半导体的BiCMOS技术适用于各种商业模式，其中包括纯晶圆代工服务到一系列涵盖专用集成电路（ASIC）设计、开发及支持的服务，包括封装和测试。这种灵活性使得意法半导体能够针对各种客户需求给出最为恰当的解决方案。
意法半导体可凭借旗下的BiCMOS技术以及丰富的经验开发出各种模拟、射频和数字IP，从而帮助客户简化产品设计并确保产品快速上市。
