BiCMOS
高性能RF IC技术
为适应宽带数据领域蓬勃发展的现状以及不断提升的相关电信标准，广大企业需要推出电路更加复杂的高性能器件。新兴的高数据速率服务促使光学和无线系统采用更高的工作频率，并要求更高的芯片集成度、降低功耗和优化成本。
此外，车载雷达 (24 / 77 GHz)、卫星通信、LAN 射频收发器 (60 GHz)、点对点无线电设备（V波段/E波段）、国防、安防或仪器仪表等全新的微波应用也对射频性能和工作条件提出了极为严苛的要求。
因此，意法半导体投入大量资金开发BiCMOS技术，
以找到能够满足上述需求的最佳解决方案。
BiCMOS：兼具两方面核心优势
BiCMOS可在单颗芯片上融合两种不同工艺技术的优势：双极晶体管可达到较高的速度和增益，满足高频模拟部分的要求，而CMOS技术则非常适合构成简单的低功耗门逻辑电路。
意法半导体的BiCMOS SiGe（硅锗）技术将射频、模拟和数字部分集成在单颗芯片上，能够大幅减少外部元器件的数量，同时优化功耗。
Typical cellular base station or point-to-point radio receiver 
Typical optical fiber and active optical cable module 如今，意法半导体推出的BiCMOS工艺技术不仅具备此前必须使用砷化镓 (GaAS) 等成本更高的技术才能达到的性能水平，而且在集成度方面具有明显的优势。
与体效应CMOS相比，BiCMOS异质结双极晶体管 (HBT) 可在指定的技术节点上实现更高的截止频率。要达到相似的频率，体效应CMOS设计方案必须采用更小的工艺节点；这不仅会影响到设计的自由度，而且在大多数情况下会导致整体性能降低和成本增加。
与其他方案相比，意法半导体的BiCMOS技术可以更好地控制成本，因此更有利于实现全新的业务应用。
意法半导体在BiCMOS工艺技术方面
处于领先地位
意法半导体在设计、架构和工艺集成方面拥有深厚的专业知识底蕴，可凭借业内领先的SiGe BiCMOS技术为高性能RF IC的设计工作提供有力的支持。
如今，我们在全球大多数的无线基站和光收发器中以及无线终端、车载雷达和仪器仪表解决方案中，都可以发现意法半导体BiCMOS技术的身影。
提供最先进的技术
意法半导体的BiCMOS系列工艺在设计环节考虑到了真正的混合信号方法，可通过多种技术来优化客户的产品设计，其中包括：
- 品类齐全的MOS和双极晶体管
- V-PNP、DMOS、双栅氧MOS
- 可实现最佳速度噪声比的SiGe-C HBT
- 用于高质量电感和低损耗传输线的毫米波专用金属层（厚铜层）
意法半导体的BiCMOS工艺可凭借高阻率衬底和深沟槽隔离技术实现同类产品的最佳隔离性能，进而有效集成射频模块。
