SiC MOSFETs: 相关产品

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 60 A in an HU3PAK package

碳化硅功率MOSFET 650 V、29 mΩ（典型值）、60 A，采用TO-LL封装

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET 750 V、29 mΩ（典型值）、60 A，采用H2PAK-7封装

车规级碳化硅功率MOSFET 750 V、22 mΩ（典型值）、85 A，采用H2PAK-7封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mΩ（典型值）、55 A，采用HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mΩ（典型值）、55 A，采用H2PAK-7封装

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、16 mΩ（典型值）、112 A，采用H2PAK-7封装

碳化硅功率MOSFET，1200 V、40 mΩ（典型值）、40 A，采用HiP247-4封装

汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mOhm（典型值，95 A），H2PAK-7封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK package

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

车规级碳化硅功率MOSFET，1200 V、63 mΩ（典型值）、30 A，采用HiP247封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、63 mOhm（典型值，30 A），HU3PAK封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、27 mΩ（典型值）、55 A，采用H2PAK-7封装

车规级碳化硅功率MOSFET，1200 V、27 mΩ（典型值）、56 A，采用HiP247封装

汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、40 mOhm（典型值，40 A），HiP247-4封装

碳化硅功率MOSFET 1200 V、21 mΩ（典型值）、91 A，采用HiP247封装

碳化硅功率MOSFET：55 A、1700 V、70 mOhm（典型值，Tj = 150 C），N沟道，HiP247封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

车规级碳化硅功率MOSFET，1700 V、1.0 Ω（典型值）、7 A，采用HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET 1,200 V、40 mΩ（典型值）、40 A，采用H2PAK-7封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

车规级碳化硅功率MOSFET 900 V、12 mΩ（典型值）、110 A，采用HiP247封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

车规级碳化硅功率MOSFET，1200 V、19.2 mΩ（典型值）、90 A，采用HU3PAK封装

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、40 mOhm（典型值），110 A，HiP247-4封装

车规级碳化硅功率MOSFET，650 V、6.7 mΩ（典型值）、237 A，采用STPAK封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

碳化硅功率MOSFET，650 V、45 mΩ（典型值）、30 A，采用HiP247-4封装

碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、22 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

车规级碳化硅功率MOSFET，650 V、45 mΩ（典型值）、30 A，采用HiP247-4封装

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、40 mOhm（典型值），110 A，H2PAK-7封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology featuring 1200 V, 67 mOhm typ., 28 A SiC Power MOSFET

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、40 mΩ（典型值）、40 A，采用HU3PAK封装

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、169 mΩ（典型值）、20 A，采用HiP247封装

碳化硅功率MOSFET 1200 V、80 mΩ（典型值）、45 A，采用HiP247长引脚封装

汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET，650 V、29 mΩ（典型值）、60 A，采用HU3PAK封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

车规级碳化硅功率MOSFET，1200 V、18.5 mΩ（典型值）、100 A，采用HiP247-4封装

车规级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mΩ（典型值）、55 A，采用HiP247-4封装

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、18.5 mΩ（典型值）、100 A，采用HU3PAK封装

车规级碳化硅功率MOSFET，750 V、6.5 mΩ（典型值）、300 A，采用STPAK封装

汽车级碳化硅功率MOSFET 1200 V、20 mOhm（典型值），90 A，H2PAK-7封装

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A in an HU3PAK package

碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET，1700 V、55 mΩ（典型值）、48 A，采用HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET，1200 V、63 mΩ（典型值）、30 A，采用HiP247-4封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、40 mΩ（典型值）、40 A，采用HiP247封装

车规级碳化硅功率MOSFET 1200 V、19.2 mΩ（典型值）、90 A，采用H2PAK-7封装

汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

碳化硅功率MOSFET，650 V、20 mΩ（典型值）、55 A，采用H2PAK-7封装

碳化硅功率MOSFET，650 V、40 mΩ（典型值）、30 A，采用H2PAK-7封装

碳化硅功率MOSFET，1200 V、63 mΩ（典型值）、30 A，采用H2PAK-7封装

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package

车规级碳化硅功率MOSFET 650 V、40 mOhm典型值，110 A，HiP247封装