产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET利用宽禁带半导体材料的先进创新特性制造而成。实现单位面积无可比拟的低导通电阻以及几乎不受温度影响的优异开关性能。碳化硅 (SiC) 材料出色的热性能结合独有的器件外壳HiP247™封装,使设计人员能够在行业标准封装尺寸下获得显著提升的散热能力。这些特性使该器件非常适合高效率和高功率密度应用。
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所有功能
- 通过AEC-Q101认证
- 导通电阻随温度的变化极小
- 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
EDA符号、封装和3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT20N120AG | 批量生产 | HIP247 | 汽车应用 | Ecopack2 | - | - | |
SCT20N120AG
Package:
HIP247Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT20N120AG | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
SCT20N120AG 批量生产