产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体先进的第三代SiC MOSFET创新技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开关频率，不仅能提高应用的频率、能效性能，还能减小系统尺寸和重量。
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所有功能
- 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
- 高速开关性能
- 稳定的超快速本体二极管
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 供电检测引脚可提高效率
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCT040W65G3-4
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT040W65G3-4 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SCT040W65G3-4 批量生产
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