产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅 (SiC) 材料具有出色的热性能,与采用独有的HiP247封装的器件外壳相结合,使设计人员能够在采用行业标准外形的同时显著提升热性能。这些特性使器件非常适合高效率和高功率密度应用。
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所有功能
- 通过AEC-Q101(版本C)认证
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
EDA符号、封装和3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 23 May 2023 | 23 May 2023 |
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样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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| SCT1000N170AG | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
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