产品概述
描述
该款碳化硅功率 MOSFET采用 ST 先进创新的第三代碳化硅 MOSFET 技术。在整个温度范围内具有极低的 RDS(on) 和极低的输入输出结电容，适于用在高频开关场合，提高整个系统的能效，减小系统的体积和重量。
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所有功能
- 符合AEC-Q101
- 在整个温度范围内具有极低的 RDS(on)
- 适于用在高频开关场合
- 稳定的超快速本体二极管
- 源极感应引脚可提高效率
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - SCT040H65G3AG
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 02 Dec 2023 | 02 Dec 2023 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT040H65G3AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SCT040H65G3AG 批量生产
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