产品概述
描述
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的STMESH沟槽T技术，适用于中到高压的MOSFET。该器件具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，从而能够最大限度减少导通损耗。该产品具有出色的开关性能和稳健的雪崩能力。T系列专门适合高功率密度应用，可确保达到最高的效率标准。
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所有功能
- 非常低的FOM (RDS(on)·Qg)
- 卓越的稳定性和均匀性
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 出色的开关性能
- 经过100%雪崩测试
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STWA60N028T
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 21 Feb 2025 | 21 Feb 2025 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STWA60N028T | 批量生产 | TO-247 long leads | 工业 | Ecopack2 | - | - | |
STWA60N028T
Package:
TO-247 long leadsMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STWA60N028T | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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