600 V STMESH沟槽T高压MOSFET系列是意法半导体最新的高压MOSFET创新技术成果。沟槽T系列是首款采用深沟槽技术通过蚀刻和填充外延层制造而成的12英寸超结MOSFET系列产品。该系列产品使设计人员能够在采用低导通电阻和低栅极电荷的紧凑型系统解决方案中提升功率密度。经过优化的T系列具有非常出色的开关性能，可在最大限度降低开关损耗的同时，提供稳健的雪崩能力。该系列产品为硬开关拓扑（如PFC功率级所用拓扑）树立了全新的效率标杆。
与先前的MDmesh M6系列技术相比，沟槽T系列的最大漏极源导通电阻（按封装类型分类）更低。
应用
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优势
- 兼顾成本与性能，适合各种电源应用
- 工艺复杂性低于多漏极技术
- 容量更大，周期时间更短
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。