意法半导体MDmesh超结 (SJ) MOSFET的击穿电压范围为250 V至650 V,采用MAX-247封装,可提供低至12 mΩ (650 V) 的极低导通电阻 (RDS(ON))。此类N沟道SJ MOSFET属于STPOWER系列。
STPOWER MOSFET标准系列
根据目标电路拓扑和应用,可提供不同的专用产品系列。技术的多功能性和灵活性使得系统设计人员既可以选择以往的系列(M2、M5、M6),也可以选择最新的M9系列,其中M9系列既适用于热切换拓扑又适用于谐振拓扑,已被广泛应用于高功率密度的系统中。
STPOWER MOSFET快速恢复体二极管系列
此外,MDmesh系列还包括带有快速恢复本征二极管的版本(DM2、DM6、DM9)。由于在标准流程上增加了铂扩散过程,整个体二极管的性能得以提升,减少了反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr,并改善了dv/dt(DMx系列),所有这些特点都是桥式和大功率相移电路的理想选择。
此类MDmesh SJ功率MOSFET具有以下微型和大功率封装:HU3PAK、DPAK、IPAK、D2PAK、H2PAK、I2PAK、MAX-247、ISOTOP、SOT-223、SOT223-2L、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247长引线版、TO-247-4、TO-3PF、TO-LL和PowerFLAT系列(3.3 x 3.3 mm、5 x 5 mm、5 x 6 mm HV和8 x 8 mm HV)。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用找到正确的解决方案,具有很长的使用寿命。