STP65N045M9

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N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

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产品概述

描述

该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on))。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。

  • 所有功能

    • 全球硅基器件中出色的FOM RDS(on)*Qg
    • 更高的VDSS额定值
    • 更高的dv/dt性能
    • 出色的开关性能
    • 易于驱动
    • 经过100%雪崩测试

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