产品概述
描述
该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
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所有功能
- 全球硅基器件中出色的FOM RDS(on)*Qg
- 更高的VDSS额定值
- 更高的dv/dt性能
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100％雪崩测试
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意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
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意法半导体 - STP65N045M9
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 16 Feb 2022 | 16 Feb 2022 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP65N045M9 | 批量生产 | TO-220 | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 | |
STP65N045M9
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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| STP65N045M9 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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