凭借STPOWER MDmesh M9系列，意法半导体为650 V/600 V超结技术树立了标杆，这项技术性能出众、简单易用。此外，该系列还将推出具有250 V击穿电压的器件。创新型高压超结STPOWER MDmesh M9系列可提供市面上最佳的品质因数 (RDS（on）max x Qg)，相比之前的技术通态电阻降低了约30%，使设计人员
能够提高功率密度并获得更紧凑的系统解决方案。
应用
MDmesh M9系列专为硬开关和软开关拓扑而定制，是电信数据中心和服务器、5G供电站和太阳能微型逆变器以及快速充电器、平板显示器和PC SMPS的理想选择。
服务器
电信数据中心
5G供电站
微型逆变器
快速充电器
产品类型
与以往技术（MDmesh M5系列）相比，MDmesh M9系列通过优化封装类型（DPAK、TO-220、TO-247长引线版和PowerFLAT 8x8 HV）改进并降低了最大漏级-源级导通电阻。
优势
- 更高的功率密度、更低的导通损耗，以及更紧凑的解决方案
- 低开关功率损耗带来高效率和高开关速度
- 更高的稳定性和可靠性，更低的设计复杂度
主要特性
| 料号 | 业内出色 的RDS(on)，面向650 V | 极低的Qg | 更高的反向 二极管dv/dt | 更高的MOSFET dv/dt坚固性 |
| STP65N045M9 | TO-220封装中为45 mΩ | 400 V时为80 nC | 400 V时为50 V/ns | ≤400 V时为120 V/ns |
精选 视频
意法半导体的MDmesh M9/DM9系列兼具出色的性能和非凡的易用性，为600V/650V超结技术树立了标杆。MDmesh M9和DM9系列专为硬开关和软开关拓扑而定制，是数据中心、5G电力服务器、电信、电动汽车充电和太阳能应用的理想选择。
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
