产品概述
描述
该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，增强了器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
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所有功能
- 品质因数RDS(on)*Qg在硅基器件中非常出色
- 更高的VDSS额定值
- 更高的dv/dt性能
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
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意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
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意法半导体 - STD65N160M9
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
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| ZIP | 1.0 | 26 Oct 2022 | 26 Oct 2022 |
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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| STD65N160M9 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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