产品概述
描述
STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。
高边部分的设计可承受最高600 V的电压，适用于总线电压高达500 V的设计。
该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压，其设计用于驱动高速GaN和Si FET。
STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。
逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与微控制器和DSP连接。
-
所有功能
- dV/dt抗扰度±200 V/ns
- 驱动器电流能力：
- 1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C，6 V
- 5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C，15 V
- 开关栅极驱动器引脚相分离
- 45 ns传播延迟，紧密匹配
- 具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入
- 互锁功能
- 低边和高边部分的UVLO
- 关闭功能专用引脚
- 超温保护
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EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STDRIVEG600
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封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STDRIVEG600 | 批量生产 | SO-16 | 工业 | Ecopack2 | |
| STDRIVEG600TR | 批量生产 | SO-16 | 工业 | Ecopack2 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STDRIVEG600 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
| STDRIVEG600TR | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STDRIVEG600 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
STDRIVEG600TR 批量生产
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