氮化镓（GaN）技术通过硅MOSFET支持实现前所未有的高速、更高效率和功率密度，正在深刻改变电力工程领域。我们先进MasterGaN系统级封装集成了GaN晶体管和栅极驱动器，具有优化的栅极驱动布局、较高的功率密度以及因最小寄生效应而提升的开关频率，因此效率更高。
GaN驱动设备是用于增强模式GaN FET或N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。
高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术的引入丰富了高压功率变换器。GaN晶体管的使用带来了更高的功率密度、效率，以及开关频率，帮助人们研发出体积更小且重量更轻的PCB，简化了SMPS的设计，提高了整体性能。
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The latest STDRIVEG610 and STDRIVEG611 provide designers with two advanced options to manage GaN devices in power conversion and motion applications.
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组件的热电模拟器
Estimate
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组件的热电模拟器
PCB热模拟器
• 支持通过Gerber文件进行PCB热分析。
• 可添加热源、散热器、铜区域和热路径。
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• 通过二维图表直观显示热分析结果。
选择设计工具： 
信号调节设计工具
有源滤波器
• 处理多级设计和常见拓扑结构
• 返回电路元件值
• 提供增益、相位和群延迟图
• 低通、高通和带通
信号调节设计工具
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• 返回电路元件值
• 提供I/O信号波形
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信号调节设计工具
低侧电流检测
• 返回电路元件值
• 提供电流误差图
信号调节设计工具
高侧电流检测
• 提供电流误差图。
• 帮助选择正确的高侧电流检测和分流器件。
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NFC/RFID计算器
NFC电感
• 输入电路图和基板性能
• 获取天线阻抗
NFC/RFID计算器
UHF链路预算
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NFC/RFID计算器
NFC调谐电路
• 输入天线参数和匹配目标
• 选择匹配网络的拓扑结构
• 该工具将返回所需设计目标的元件值