MASTERGAN系列提供先进的系统级封装功率解决方案,无缝集成一个栅极驱动器和两个半桥结构的增强型GaN晶体管。
该系列采用稳健的600 V GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT),充分发挥GaN技术优势,实现更高转换效率、更小外形尺寸与领先的功率密度水平。
专为谐振拓扑优化的MasterGaN-L系列专为降低功耗和缩短开通时间 (Ton) 而设计,非常适用于空载功耗极低的高开关频率应用。
MASTERGAN系列提供先进的系统级封装功率解决方案,无缝集成一个栅极驱动器和两个半桥结构的增强型GaN晶体管。
该系列采用稳健的600 V GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT),充分发挥GaN技术优势,实现更高转换效率、更小外形尺寸与领先的功率密度水平。
专为谐振拓扑优化的MasterGaN-L系列专为降低功耗和缩短开通时间 (Ton) 而设计,非常适用于空载功耗极低的高开关频率应用。
应用
适用于标牌LED照明、舞台照明的LED显示器
USB Type-C PD适配器和快速充电器
不间断电源 (UPS)
适用于服务器和电信的AC-DC PSU
了解我们的产品组合
优势
紧凑
- 集成功率GaN器件
- 嵌入式栅极驱动器
- 优化的Ton延迟(MasterGaN-L系列)
稳健可靠
- Vcc UVLO保护
- 互锁功能
- 过热保护
简易设计
- 采用GQFN 9 x 9 mm²封装的智能解决方案
- 可扩展功率,引脚兼容
- 关闭功能专用引脚
- 准确的内部定时匹配
更高效
- 减少功率损耗,降低功耗,超过了最严苛的能效要求