EVSTDRIVEG60015

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用于STDRIVEG600 600V高速半桥栅极驱动器的演示板,配有SGT120R65AL增强模式GaN HEMT

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产品概述

描述

STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器,专为驱动高电压增强模式GaN HEMT进行了优化。该器件具有集成式自举二极管,并允许为高达20 V的外部开关供电,具有专为GaN HEMT量身定制的欠电压保护。

EVSTDRIVEG60015板简单易用、反应灵敏,可用于评估STDRIVEG600驱动SGT120R65AL 75 mΩ典型值的650 V 增强模式GaN开关的特性。

该器件具有板载的可编程死区时间发生器和3.3 V线性稳压器,可以为微控制器等外部逻辑控制器供电。

另外还预留了空间,以便为最终应用定制板件,例如单独的LIN和HIN输入信号或单一PWM信号,使用可选的外部自举二极管,为VCC、PVCC或BOOT单独供电,以及针对峰值电流模式拓扑使用低侧分流电阻。

EVSTDRIVEG60015是50 x 70 mm宽的FR-4 PCB,静止空气中的Rth(J‑A)值为25 ℃/W。

  • 所有功能

    • 半桥拓扑,具有600 V的STDRIVEG600栅极驱动器
    • 配备75 mΩ典型值的650 V增强模式GaN HEMT
    • GaN采用5x6 mm PowerFLAT HV封装,带Kelvin源
    • HV总线电压最高可达500 V
    • 4.75至6.5 V的VCC栅极驱动器供电电压,受GaN VGS额定限制
    • 板载可调死区时间生成器,将单一PWM信号转换为独立的高侧和低侧死区时间
    • 也可以使用带外部死区时间的单独输入
    • 板载3.3 V稳压器用于外部电路供电
    • 结到环境的热阻为25 ℃/W,用于评估大功率拓扑
    • 高频连接器用于监测GaN栅极
    • 可选低侧分流
    • 符合RoHS标准

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质量与可靠性

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