产品概要
描述
STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高电压增强模式GaN HEMT进行了优化。该器件具有集成式自举二极管，并允许为高达20 V的外部开关供电，具有专为GaN HEMT量身定制的欠电压保护。
EVSTDRIVEG60015板简单易用、反应灵敏，可用于评估STDRIVEG600驱动SGT120R65AL 75 mΩ典型值的650 V 增强模式GaN开关的特性。
该器件具有板载的可编程死区时间发生器和3.3 V线性稳压器，可以为微控制器等外部逻辑控制器供电。
另外还预留了空间，以便为最终应用定制板件，例如单独的LIN和HIN输入信号或单一PWM信号，使用可选的外部自举二极管，为VCC、PVCC或BOOT单独供电，以及针对峰值电流模式拓扑使用低侧分流电阻。
EVSTDRIVEG60015是50 x 70 mm宽的FR-4 PCB，静止空气中的Rth(J‑A)值为25 ℃/W。
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性能一览
- 半桥拓扑，具有600 V的STDRIVEG600栅极驱动器
- 配备75 mΩ典型值的650 V增强模式GaN HEMT
- GaN采用5x6 mm PowerFLAT HV封装，带Kelvin源
- HV总线电压最高可达500 V
- 4.75至6.5 V的VCC栅极驱动器供电电压，受GaN VGS额定限制
- 板载可调死区时间生成器，将单一PWM信号转换为独立的高侧和低侧死区时间
- 也可以使用带外部死区时间的单独输入
- 板载3.3 V稳压器用于外部电路供电
- 结到环境的热阻为25 ℃/W，用于评估大功率拓扑
- 高频连接器用于监测GaN栅极
- 可选低侧分流
- 符合RoHS标准
所有资源
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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Board Manufacturing Specifications (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 7Z | 2.0 | 20 Nov 2023 | 20 Nov 2023 |
BOM (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2.0 | 20 Nov 2023 | 20 Nov 2023 |
Schematic Pack (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 20 Nov 2023 | 20 Nov 2023 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVSTDRIVEG60015 | Active 产品已量产 | CARD | Industrial | Ecopack1 | - | - | - | |
EVSTDRIVEG60015
Package:
CARDMaterial Declaration**:
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Sample & Buy
| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Supplier | Core Product | Board production status | |
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| EVSTDRIVEG60015 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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EVSTDRIVEG60015 Active
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ECCN (EU):