STW75N65DM6-4

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N沟道650 V、33 mOhm典型值、75 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO247-4封装

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产品概述

描述

该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比,DM6兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快恢复时间(trr),并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进,采用市场上最高效的开关行为之一,适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。

  • 所有功能

    • 快速恢复体二极管
    • 与上一代相比,具有更低的单位面积RDS(on)
    • 低栅极电荷、输入电容和电阻
    • 经过100%雪崩测试
    • 非常高的dv / dt耐用性
    • 稳压保护
    • 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STW75N65DM6-4

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3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW75N65DM6-4
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TO247-4 工业 Ecopack2

STW75N65DM6-4

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TO247-4

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TO247-4

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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