STW18N60DM2

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N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装

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产品概述

描述

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

  • 所有功能

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

EDA符号、封装和3D模型

意法半导体 - STW18N60DM2

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STW18N60DM2
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TO-247 工业 Ecopack2

STW18N60DM2

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TO-247

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Industrial

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Ecopack2

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