产品概述
描述
这些高压器件是具有稳压保护功能的N沟道功率MOSFET，采用意法半导体SuperMESH技术开发，是成熟PowerMESH的优化升级版。除了能显著降低导通电阻外，还能确保具有出色的dv/dt性能，以满足极其严苛的应用要求。
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所有功能
- 经过100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 超低本征电容
- 稳压保护
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
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EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STQ2HNK60ZR-AP
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封装
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STQ2HNK60ZR-AP | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STQ2HNK60ZR-AP 批量生产
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