产品概述
描述
这款超高压N沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新的专有垂直结构为基础。因此，能够显著降低导通电阻并具有非常低的栅极电荷，适用于要求高功率密度和高效率的应用。
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所有功能
- 业界先进的低RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数 (FoM)
- 超低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳保护
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STP7N105K5
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP7N105K5 | 批量生产 | TO-220 | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2020-09-28T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP7N105K5 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STP7N105K5 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
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ECCN (EU):
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