STP50N65DM6

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N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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产品概述

描述

该高压N沟道MOSFET出自快恢复体二极管MDmesh DM6系列与之前一代的快恢复特性MDmesh相比,DM6兼具超低恢复电荷 (Qrr),恢复时间(trr)并且大幅提升单位面积 RDS(on) 值,具有最高效的开关表现,适用于市面上要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。

  • 所有功能

    • 快恢复二极管
    • 单位面积的Rds(on)值比上一代更低
    • 低栅极电荷、输入电容和电阻
    • 经过100%雪崩测试
    • 极高的dv/dt强度
    • 稳压保护

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STP50N65DM6

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产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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TO-220 工业 Ecopack2

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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