产品概要
描述
这些器件是N沟道FDmesh™ V功率MOSFET，采用意法半导体的MDmesh™ V技术制造，该技术基于创新的专有垂直结构。由此产生的器件具有硅基功率MOSFET无可比拟的极低导通电阻，同时凭借其内置的快速恢复体二极管，实现了卓越的开关性能。
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性能一览
- 在采用TO-220封装的快速恢复二极管器件中，实现全球最佳RDS(on)
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩特性
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STP34NM60ND
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP34NM60ND | NRND 不推荐用于新设计。量产仅供支持现有生产。 | TO-220 | Industrial | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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Sample & Buy
| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP34NM60ND | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STP34NM60ND NRND
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