产品概述
描述
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局关联起来，产生的导通电阻和栅极电荷极低，因而能完全满足高效转换器的严苛要求。
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所有功能
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STP24NM60N
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP24NM60N | 批量生产 | TO-220 | 工业 | Ecopack2 | - | - | |
STP24NM60N
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP24NM60N | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STP24NM60N 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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包装类型:
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Country of Origin:
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ECCN (EU):
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