产品概述
描述
该N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术，结合增强型沟槽栅极结构，不仅显著降低了导通电阻，还减少了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关性能。
-
所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 标准电平VGS(TH)
- 结温达175 °C
- 100%雪崩安全认证
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STP150N10F7AG
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP150N10F7AG | 批量生产 | TO-220 | 汽车应用 | Ecopack1 | 7 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 | |
STP150N10F7AG
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP150N10F7AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STP150N10F7AG 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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