STripFET F7系列

意法半导体的STripFET™ F7系列低压功率MOSFET (40 V - 120 V) 具有增强的沟槽栅结构，可以降低器件的导通电阻，同时减小内部电容和栅极电荷，从而实现更快速、更高效的开关切换。

其出色的品质因数 (FoM) 和高雪崩耐量有助于简化设计，降低设备尺寸和成本，同时提高应用可靠性，例如电信或计算系统、太阳能逆变器、电机控制和汽车应用。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

特性和优势

• 市场上最低的R_DS(on)
• 最小的R_DS(on) x Qg，提高系统效率，使设计更加紧凑
• 针对EMI抗扰性优化了Crss/Ciss比
• 坚固的抗雪崩能力

相比于先前的F4和F3系列，最新的STripFET F7系列低压功率MOSFET在单位晶片面积上具有明显更低的导通电阻。这有助于减少并联器件的数量，进而简化了设计者对于高功率设计的需求。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。