产品概述
描述
该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比，DM6兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进，采用市场上最高效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
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All features
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比，具有更低的单位面积RDS(on)值
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100％雪崩测试
- 非常高的dv / dt耐用性
- 稳压保护
- 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STO67N60DM6
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 26 May 2026 | 26 May 2026 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STO67N60DM6 | Active 产品已量产 | TO-LL | Industrial | Ecopack2 | 10 | 2020-09-28T00:00:00.000+02:00 | |
STO67N60DM6
Package:
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| STO67N60DM6 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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