产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
-
所有功能
- N-沟道增强模式
- 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
- 100 ％额定雪崩
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STL7N10F7
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL7N10F7 | 批量生产 | PowerFLAT 3.3x3.3 | 工业 | Ecopack2 | 7 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 | |
STL7N10F7
Package:
PowerFLAT 3.3x3.3Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL7N10F7 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STL7N10F7 批量生产
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包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
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ECCN (EU):
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