产品概述
描述
该P沟道功率MOSFET采用STripFET H6技术开发，具有新型沟槽栅极结构。该功率MOSFET在各个封装中均展示了非常低的RDS(on)。
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所有功能
- 超低的导通电阻
- 超低的栅极电荷
- 高雪崩容量
- 低栅驱动功率损耗
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STL4P3LLH6
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| LIB | 1.0 | 09 Apr 2025 | 09 Apr 2025 |
质量与可靠性
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL4P3LLH6 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STL4P3LLH6 批量生产
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