STPOWER P-沟道MOSFET (-100 V 至 -30 V)

意法半导体最近对P沟道MOSFET产品组合进行了扩展，新增了沟槽栅极器件。这些新型STripFET MOSFET具有极低的导通电阻。采用超小型封装，专为便携式应用设计。

P沟道MOSFET产品组合的主要特性如下：

• 超低的R_DS(on)，增强了应用的效率
• 标准和逻辑级阈值，增强了设计的灵活性

此类P沟道功率MOSFET经过优化，可满足负载开关，线性稳压器和汽车应用的广泛设计要求。采用多种紧凑型封装，例如DPAK、SO-8、SOT-223、SOT23-6L和PowerFLAT等。