产品概述
描述
该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢复二极管特性系列的一个产品。与前一代MDmesh技术相比,DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及出色的导通电阻 (RDS(on)), 与行业里最高效的开关特性相结合,非常适合用于效率要求苛刻的桥式拓扑和ZVS(零电压开关)移相转换器。
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所有功能
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比,具有更低的面积值
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100%雪崩测试
- 极高的dv / dt耐用性
- 稳压保护
- 强爬电距离封装
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET,这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装,可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性,适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚,可减小接通/关断开关损耗,有助于设计人员进一步提高效率。
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 08 Apr 2019 | 08 Apr 2019 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL33N60DM6 | 批量生产 | PowerFLAT 8x8 HV | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2020-09-28T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL33N60DM6 | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
STL33N60DM6 批量生产