产品概述
描述
STL175N4LF8AG是一款40 V N沟道增强型功率MOSFET,采用STripFET F8技术设计,具备增强型沟槽栅极结构。
该器件凭借极低的导通电阻实现了业界领先的品质因数,同时降低了内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关性能。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- MSL1级
- 最高工作结温达175 °C
- 经过100%雪崩测试
- 低栅极电荷Qg
- 采用可湿性侧面封装
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 7Z | 1.0 | 19 Feb 2024 | 19 Feb 2024 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL175N4LF8AG | 批量生产 | PowerFLAT 5x6 WF | 汽车应用 | Ecopack2 | 10 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STL175N4LF8AG | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STL175N4LF8AG 批量生产