意法半导体引入STPOWER STripFET F8技术，丰富了其低压MOSFET产品阵容。
该技术符合AEC-Q101标准，提供30-150 V的广泛封装解决方案，可满足超高功率密度解决方案的所有要求。
STripFET F8技术既优化了体二极管性能，也降低了导通电阻和开关损耗，可在功率转换、电机控制，以及配电线路中节约能源并确保低噪音。
产品类型
意法半导体的STripFET F8技术通过较低的器件电容有效降低动态参数（如栅极-漏极电荷），从而提高系统效率，确保出色的开关速度效率。设计人员可以选择比STtripFET F7技术更高的开关频率，采用更小的电容性和磁性元件。该技术可帮助客户缩减电路尺寸，降低物料成本，并提高最终应用的功率密度。
优点
- 超低的导通损耗，提高了效率，使设计更加紧凑
- 低EMI辐射
- 体二极管平缓性和较低栅极-漏极电荷，确保开关性能超出客户要求
- 更紧密的栅极阈值电压分布，便于并联
- 支持更小的封装解决方案
