产品概述
描述
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局关联起来，产生的导通电阻和栅极电荷极低，因而能完全满足高效转换器的严苛要求。
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所有功能
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STF24NM60N
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