STF18NM60N

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N沟道600 V、0.26 Ohm典型值、13 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封装

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产品概述

描述

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

EDA符号、封装和3D模型

意法半导体 - STF18NM60N

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TO-220FP 工业 Ecopack2

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TO-220FP

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