产品概述
描述
该器件是一款N沟道功率MOSFET，采用第二代MDmesh技术开发。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条带布局关联起来，产生的导通电阻和栅极电荷极低，因而能完全满足高效转换器的严苛要求。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STD7ANM60N
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 31 May 2024 | 31 May 2024 |
质量与可靠性
| 料号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD7ANM60N | NRND 不推荐用于新设计。量产仅供支持现有生产。 | DPAK | 汽车应用 | Ecopack1 (*) | - | - | |
STD7ANM60N
Package:
DPAKMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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样片和购买
| 料号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD7ANM60N | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STD7ANM60N NRND
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包装类型:
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